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VISHAY SILICONIX - SI4559EY - 雙MOSFET NP SO-8

VISHAY SILICONIX - SI4559EY - 雙MOSFET NP SO-8
制造商：VISHAY SILICONIX
庫存編號(hào)：
制造商編號(hào)：SI4559EY
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡29, 英國 0
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 22.63
價(jià)格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 22.63
25  - 99 CNY 20.48
100  - 249 CNY 16.98
250+  CNY 16.08

訂購
描述信息：
  • 晶體管極性:N+P 溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:4.5A
  • 電壓, Vds 最大:60V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.1ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:2.4W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • 外寬:6.2mm
  • 外部深度:5.26mm
  • 外部長(zhǎng)度/高度:1.2mm
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
  • 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • N溝道柵極電荷 Qg:19nC
  • P溝道柵極電荷 Qg:16nC
  • 功率, Pd:2.4W
  • 最高電壓, Vds P溝道:60V
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道(1):4.5A
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:3.1A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds:60V
  • 電壓, Vds 典型值:60V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 電流, Id 連續(xù):3.1A
  • 電流, Idm 脈沖:30A
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道:0.055ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道:0.12ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道:0.075ohm
產(chǎn)品屬性：

重量（公斤）：0.0005
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：

描述信息：
  • 晶體管極性:N+P 溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:4.5A
  • 電壓, Vds 最大:60V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.1ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:2.4W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • 外寬:6.2mm
  • 外部深度:5.26mm
  • 外部長(zhǎng)度/高度:1.2mm
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
  • 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • N溝道柵極電荷 Qg:19nC
  • P溝道柵極電荷 Qg:16nC
  • 功率, Pd:2.4W
  • 最高電壓, Vds P溝道:60V
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道(1):4.5A
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:3.1A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds:60V
  • 電壓, Vds 典型值:60V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 電流, Id 連續(xù):3.1A
  • 電流, Idm 脈沖:30A
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道:0.055ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道:0.12ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道:0.075ohm