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NXP - PHP101NQ03LT - 場效應(yīng)管 MOSFET N 30V TO-220

NXP - PHP101NQ03LT - 場效應(yīng)管 MOSFET N 30V TO-220
制造商:NXP
庫存編號:
制造商編號:PHP101NQ03LT
庫存狀態(tài):上海 0 , 新加坡 0 , 英國1052
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 16.46
價格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 16.46
25  - 99 CNY 11.87
100  - 249 CNY 8.11
250+  CNY 5.27

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描述信息:
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:75A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):5.5mohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:166W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:TO-220AB
  • SMD標(biāo)號:PHP101NQ03LT
  • 功率, Pd:166W
  • 封裝類型:TO-220AB
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):75A
  • 電流, Idm 脈沖:240A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.9V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:1V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:2.5V
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.002
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:

描述信息:
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:75A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):5.5mohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:166W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:TO-220AB
  • SMD標(biāo)號:PHP101NQ03LT
  • 功率, Pd:166W
  • 封裝類型:TO-220AB
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):75A
  • 電流, Idm 脈沖:240A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.9V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:1V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:2.5V