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NXP - PHT6N06T - 場效應管 MOSFET N SOT-223

NXP - PHT6N06T - 場效應管 MOSFET N SOT-223
制造商:NXP
庫存編號:
制造商編號:PHT6N06T
庫存狀態(tài):上海 0 , 新加坡 0 , 英國2162
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 8.28
價格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 8.28
25  - 99 CNY 5.97
100  - 249 CNY 4.08
250+  CNY 2.65

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描述信息:
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:5.5A
  • 電壓, Vds 最大:55V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.15ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:8.3W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-223
  • 功率, Pd:8.3W
  • 封裝類型:SOT-223
  • 總功率, Ptot:8.3W
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
  • 電壓, Vds 典型值:55V
  • 電流, Id 連續(xù):2.5A
  • 電流, Idm 脈沖:10A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
產品屬性:

重量(公斤):0.00012
原產地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:

描述信息:
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:5.5A
  • 電壓, Vds 最大:55V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.15ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:8.3W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-223
  • 功率, Pd:8.3W
  • 封裝類型:SOT-223
  • 總功率, Ptot:8.3W
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
  • 電壓, Vds 典型值:55V
  • 電流, Id 連續(xù):2.5A
  • 電流, Idm 脈沖:10A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V