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NXP - PHU11NQ10T - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N I-PAK

NXP - PHU11NQ10T - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N I-PAK
制造商：NXP
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：PHU11NQ10T
庫(kù)存狀態(tài)：停产
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：
價(jià)格：

訂購(gòu)
描述信息：
  • 晶體管極性:N溝道
  • 電壓, Vds 最大:100V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.15ohm
  • 功耗:57.7W
  • 封裝類型:I-PAK
  • SMD標(biāo)號(hào):PHU11NQ10T
  • 上升時(shí)間:23ns
  • 下降時(shí)間:7.2ns
  • 功率, Pd:57.7W
  • 封裝類型:I-PAK
  • 封裝類型, 替代:TO-251
  • 引線長(zhǎng)度:9.8mm
  • 引腳節(jié)距:2.285mm
  • 時(shí)間, t off:11.5ns
  • 時(shí)間, t on:5.5ns
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電流, Id 連續(xù):10.9A
  • 電流, Idm 脈沖:43.6A
產(chǎn)品屬性：

重量（公斤）：0.00031
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家：

描述信息：
  • 晶體管極性:N溝道
  • 電壓, Vds 最大:100V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.15ohm
  • 功耗:57.7W
  • 封裝類型:I-PAK
  • SMD標(biāo)號(hào):PHU11NQ10T
  • 上升時(shí)間:23ns
  • 下降時(shí)間:7.2ns
  • 功率, Pd:57.7W
  • 封裝類型:I-PAK
  • 封裝類型, 替代:TO-251
  • 引線長(zhǎng)度:9.8mm
  • 引腳節(jié)距:2.285mm
  • 時(shí)間, t off:11.5ns
  • 時(shí)間, t on:5.5ns
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電流, Id 連續(xù):10.9A
  • 電流, Idm 脈沖:43.6A