NXP - PIP3115-B - 場效應管 MOSFET N 智能型
制造商：NXP
庫存編號：
制造商編號：PIP3115-B
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國217
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 9.40
價格：
庫存編號：
制造商編號：PIP3115-B
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國217
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 9.40
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 9.40 |
| 25+ | CNY 8.30 |
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 電壓, Vds 最大:50V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.05ohm
- 功耗:40W
- 封裝類型:D2-PAK
- 擊穿電壓, ESD:2.0kV
- 功率, Pd:65W
- 封裝類型:D2-PAK
- 封裝類型, 替代:D2-PAK
- 引腳節(jié)距:2.54mm
- 晶體管類型:保護MOSFET
- 滿功率溫度:25°C
- 電流, Id 連續(xù):16A
- 電流, Idm 脈沖:8A
- 結溫, Tj 最低:-55°C
- 結溫, Tj 最高:125°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 輸入電壓, 最低:0.6V
- 輸入電壓, 最高:2.4V
產品屬性：
重量（公斤）：0.00144
原產地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 電壓, Vds 最大:50V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.05ohm
- 功耗:40W
- 封裝類型:D2-PAK
- 擊穿電壓, ESD:2.0kV
- 功率, Pd:65W
- 封裝類型:D2-PAK
- 封裝類型, 替代:D2-PAK
- 引腳節(jié)距:2.54mm
- 晶體管類型:保護MOSFET
- 滿功率溫度:25°C
- 電流, Id 連續(xù):16A
- 電流, Idm 脈沖:8A
- 結溫, Tj 最低:-55°C
- 結溫, Tj 最高:125°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 輸入電壓, 最低:0.6V
- 輸入電壓, 最高:2.4V
