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NXP - PMGD8000LN - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 NN SOT-363

NXP - PMGD8000LN - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 NN SOT-363
制造商:NXP
庫(kù)存編號(hào):
制造商編號(hào):PMGD8000LN
庫(kù)存狀態(tài):上海 0 , 新加坡 0 , 英國(guó)4137
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:5
多重訂單量:5
單位價(jià)格(不含稅):CNY 2.02
價(jià)格:
数量 单位价格(不含税)
5  - 24 CNY 2.02
25  - 99 CNY 1.45
100+  CNY 0.99

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描述信息:
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:125mA
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):8ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.5V
  • 功耗:0.2W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-363
  • 針腳數(shù):6
  • 封裝類型:SOT-363
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 上升時(shí)間:7ns
  • 下降時(shí)間:7ns
  • 功率, Pd:0.2W
  • 時(shí)間, t off:15ns
  • 時(shí)間, t on:10ns
  • 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):0.125A
  • 電流, Idm 脈沖:0.25A
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:8ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:1.5V
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.00001
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家:

描述信息:
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:125mA
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):8ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.5V
  • 功耗:0.2W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-363
  • 針腳數(shù):6
  • 封裝類型:SOT-363
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 上升時(shí)間:7ns
  • 下降時(shí)間:7ns
  • 功率, Pd:0.2W
  • 時(shí)間, t off:15ns
  • 時(shí)間, t on:10ns
  • 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):0.125A
  • 電流, Idm 脈沖:0.25A
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:8ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:1.5V