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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6680A - 場效應(yīng)管 MOSFET N SO-8

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS6680A - 場效應(yīng)管 MOSFET N SO-8
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
庫存編號：
制造商編號：FDS6680A
庫存狀態(tài)：上海130, 新加坡373, 英國1851
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 7.20
價(jià)格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 7.20
10  - 99 CNY 6.20
100  - 249 CNY 4.80
250  - 499 CNY 4.10
500  - 749 CNY 3.60
750+  CNY 3.10

訂購
描述信息：
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:12.5A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.0095ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:2V
  • 功耗:2.5W
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SMD標(biāo)號:FDS6680A
  • 功率, Pd:2.5W
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds:30V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):12.5A
  • 電流, Idm 脈沖:50A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:2V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:1V
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
產(chǎn)品屬性：

重量（公斤）：0.00009
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：

描述信息：
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:12.5A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.0095ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:2V
  • 功耗:2.5W
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SMD標(biāo)號:FDS6680A
  • 功率, Pd:2.5W
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds:30V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):12.5A
  • 電流, Idm 脈沖:50A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:2V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:1V
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)