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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQD18N20V2 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N D-PAK

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQD18N20V2 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N D-PAK
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：FQD18N20V2
庫(kù)存狀態(tài)：上海50, 新加坡12, 英國(guó) 0
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 12.90
價(jià)格：
数量 单位价格(不含税)
1+  CNY 12.90

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描述信息：
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:15A
  • 電壓, Vds 最大:200V
  • 開(kāi)態(tài)??阻, Rds(on):0.14ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:30V
  • 功耗:2.5W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類(lèi)型:D-PAK
  • 針腳數(shù):3
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD標(biāo)號(hào):FQD18N20V2
  • 功率, Pd:2.5W
  • 外寬:6.8mm
  • 外部深度:10.5mm
  • 外部長(zhǎng)度/高度:2.55mm
  • 封裝類(lèi)型:DPAK
  • 封裝類(lèi)型, 替代:TO-252
  • 應(yīng)用代碼:GP
  • 總功率, Ptot:2.5W
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類(lèi)型:MOSFET
  • 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:200V
  • 電流, Id 連續(xù):15A
  • 電流, Idm 脈沖:60A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
產(chǎn)品屬性：

重量（公斤）：0.00029
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家：

描述信息：
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:15A
  • 電壓, Vds 最大:200V
  • 開(kāi)態(tài)??阻, Rds(on):0.14ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:30V
  • 功耗:2.5W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類(lèi)型:D-PAK
  • 針腳數(shù):3
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SMD標(biāo)號(hào):FQD18N20V2
  • 功率, Pd:2.5W
  • 外寬:6.8mm
  • 外部深度:10.5mm
  • 外部長(zhǎng)度/高度:2.55mm
  • 封裝類(lèi)型:DPAK
  • 封裝類(lèi)型, 替代:TO-252
  • 應(yīng)用代碼:GP
  • 總功率, Ptot:2.5W
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類(lèi)型:MOSFET
  • 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:200V
  • 電流, Id 連續(xù):15A
  • 電流, Idm 脈沖:60A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)