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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQP6N80C - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-220

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQP6N80C - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TO-220
制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
庫(kù)存編號(hào):
制造商編號(hào):FQP6N80C
庫(kù)存狀態(tài):上海150, 新加坡 0 , 英國(guó)833
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價(jià)格(不含稅):CNY 9.10
價(jià)格:
数量 单位价格(不含税)
1+  CNY 9.10

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描述信息:
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:5.5A
  • 電壓, Vds 最大:800V
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):2.1ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:30V
  • 功耗:158W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類(lèi)型:TO-220
  • 針腳數(shù):3
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:158W
  • 外寬:10.67mm
  • 外部長(zhǎng)度/高度:4.83mm
  • 封裝類(lèi)型:TO-220
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類(lèi)型:MOSFET
  • 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
  • 滿(mǎn)功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:800V
  • 電流, Id 連續(xù):5.5A
  • 電流, Idm 脈沖:22A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:2.5ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:5V
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.00203
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家:

描述信息:
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:5.5A
  • 電壓, Vds 最大:800V
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):2.1ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:30V
  • 功耗:158W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類(lèi)型:TO-220
  • 針腳數(shù):3
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:158W
  • 外寬:10.67mm
  • 外部長(zhǎng)度/高度:4.83mm
  • 封裝類(lèi)型:TO-220
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類(lèi)型:MOSFET
  • 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
  • 滿(mǎn)功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:800V
  • 電流, Id 連續(xù):5.5A
  • 電流, Idm 脈沖:22A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:2.5ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:5V
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)