STMICROELECTRONICS - STP8NK100Z - 場效應(yīng)管 MOSFET N 1000V 6A TO-220
制造商：STMICROELECTRONICS
庫存編號：
制造商編號：STP8NK100Z
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡85, 英國 0
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 32.30
價格：
庫存編號：
制造商編號：STP8NK100Z
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡85, 英國 0
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 32.30
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 32.30 |
描述信息：
- 晶體管極性:N溝道
- 漏極電流, Id 最大值:6.5A
- 電壓, Vds 最大:1000V
- 開??電阻, Rds(on):2ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:3.75V
- 功耗:160W
- 封裝類型:TO-220
- 針腳數(shù):3
- SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD標號:STP8NK100Z
- 功率, Pd:160W
- 封裝類型:TO-220
- 引腳節(jié)距:2.54mm
- 總功率, Ptot:160W
- 晶體管數(shù):1
- 晶體管類型:MOSFET
- 溫度 @ 電流測量:25°C
- 滿功率溫度:25°C
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:1000V
- 電流, Id 連續(xù):4.3A
- 電流, Idm 脈沖:16A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:2ohm
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3.75V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.002
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N溝道
- 漏極電流, Id 最大值:6.5A
- 電壓, Vds 最大:1000V
- 開??電阻, Rds(on):2ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:3.75V
- 功耗:160W
- 封裝類型:TO-220
- 針腳數(shù):3
- SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
- SMD標號:STP8NK100Z
- 功率, Pd:160W
- 封裝類型:TO-220
- 引腳節(jié)距:2.54mm
- 總功率, Ptot:160W
- 晶體管數(shù):1
- 晶體管類型:MOSFET
- 溫度 @ 電流測量:25°C
- 滿功率溫度:25°C
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:1000V
- 電流, Id 連續(xù):4.3A
- 電流, Idm 脈沖:16A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:2ohm
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3.75V
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