NXP - PHK12NQ10T - 場效應(yīng)管 MOSFET N SO-8
制造商：NXP
庫存編號：
制造商編號：PHK12NQ10T
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國494
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 13.86
價格：
庫存編號：
制造商編號：PHK12NQ10T
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國494
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 13.86
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 13.86 |
| 25 - 99 | CNY 9.99 |
| 100+ | CNY 6.82 |
描述信息：
- 晶體管極性:N溝道
- 漏極電流, Id 最大值:11.6A
- 電壓, Vds 最大:100V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):28mohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 功耗:8.9W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:SOIC
- 針腳數(shù):8
- SMD標(biāo)號:PHK12NQ10T
- 功率, Pd:8.9W
- 外寬:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部長度/高度:1.75mm
- 封裝類型:SOIC
- 排距:6.3mm
- 晶體管數(shù):1
- 晶體管類型:MOSFET
- 溫度 @ 電流測量:25°C
- 滿功率溫度:25°C
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:100V
- 電流, Id 連續(xù):11.6A
- 電流, Idm 脈沖:48A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.0005
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N溝道
- 漏極電流, Id 最大值:11.6A
- 電壓, Vds 最大:100V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):28mohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 功耗:8.9W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:SOIC
- 針腳數(shù):8
- SMD標(biāo)號:PHK12NQ10T
- 功率, Pd:8.9W
- 外寬:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部長度/高度:1.75mm
- 封裝類型:SOIC
- 排距:6.3mm
- 晶體管數(shù):1
- 晶體管類型:MOSFET
- 溫度 @ 電流測量:25°C
- 滿功率溫度:25°C
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:100V
- 電流, Id 連續(xù):11.6A
- 電流, Idm 脈沖:48A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
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