NXP - PHK4NQ20T - 場效應管 MOSFET N SO-8
制造商：NXP
庫存編號：
制造商編號：PHK4NQ20T
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：
價格：
庫存編號：
制造商編號：PHK4NQ20T
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：
價格：
描述信息：
- 晶體管極性:N溝道
- 電壓, Vds 最大:200V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):130mohm
- 功耗:6.25W
- 封裝類型:SOIC
- 針腳數(shù):8
- SMD標號:PHK4NQ20T
- 功率, Pd:6.25W
- 外寬:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部長度/高度:1.75mm
- 封裝類型:SOIC
- 排距:6.3mm
- 晶體管數(shù):1
- 晶體管類型:MOSFET
- 溫度 @ 電流測量:25°C
- 滿功率溫度:25°C
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:200V
- 電流, Id 連續(xù):4A
- 電流, Idm 脈沖:16A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
產品屬性：
重量（公斤）：0.0005
原產地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N溝道
- 電壓, Vds 最大:200V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):130mohm
- 功耗:6.25W
- 封裝類型:SOIC
- 針腳數(shù):8
- SMD標號:PHK4NQ20T
- 功率, Pd:6.25W
- 外寬:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部長度/高度:1.75mm
- 封裝類型:SOIC
- 排距:6.3mm
- 晶體管數(shù):1
- 晶體管類型:MOSFET
- 溫度 @ 電流測量:25°C
- 滿功率溫度:25°C
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:200V
- 電流, Id 連續(xù):4A
- 電流, Idm 脈沖:16A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
