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NXP - PHKD6N02LT - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N SO-8

NXP - PHKD6N02LT - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N SO-8
制造商：NXP
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：PHKD6N02LT
庫(kù)存狀態(tài)：停产
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：
價(jià)格：

訂購(gòu)
描述信息：
  • 晶體管極性:N溝道
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):20mohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.5V
  • 功耗:4.17W
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • 外寬:4.05mm
  • 外部深度:5.2mm
  • 外部長(zhǎng)度/高度:1.75mm
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):PHKD6N02LT
  • 功率, Pd:4.17W
  • 排距:6.3mm
  • 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):10.9A
  • 電流, Idm 脈沖:44A
產(chǎn)品屬性：

重量（公斤）：0.0005
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家：

描述信息：
  • 晶體管極性:N溝道
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):20mohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.5V
  • 功耗:4.17W
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • 外寬:4.05mm
  • 外部深度:5.2mm
  • 外部長(zhǎng)度/高度:1.75mm
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號(hào):PHKD6N02LT
  • 功率, Pd:4.17W
  • 排距:6.3mm
  • 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):10.9A
  • 電流, Idm 脈沖:44A