NXP - PMWD16UN - 場效應(yīng)管 MOSFET N TSSOP-8
描述信息:
- 晶體管極性:Dual N Channel
- 電壓, Vds 最大:20V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.019ohm
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.7V
- 封裝類型:TSSOP
- 封裝類型:TSSOP
- 晶體管數(shù):2
- 晶體管類型:MOSFET
- 表面安裝器件:表面安裝
- 針腳配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
- SMD標(biāo)號:16UN
- 功率, Pd:3.1W
- 器件標(biāo)號:4
- 電壓, Vgs 最高:10V
- 電容值, Ciss 典型值:1366pF
- 電流, Id 連續(xù):9.9A
- 電流, Idm 脈沖:39.5A
- 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.03ohm
- 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.019ohm
產(chǎn)品屬性:
重量(公斤):0.00003
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:
描述信息:
- 晶體管極性:Dual N Channel
- 電壓, Vds 最大:20V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.019ohm
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.7V
- 封裝類型:TSSOP
- 封裝類型:TSSOP
- 晶體管數(shù):2
- 晶體管類型:MOSFET
- 表面安裝器件:表面安裝
- 針腳配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
- SMD標(biāo)號:16UN
- 功率, Pd:3.1W
- 器件標(biāo)號:4
- 電壓, Vgs 最高:10V
- 電容值, Ciss 典型值:1366pF
- 電流, Id 連續(xù):9.9A
- 電流, Idm 脈沖:39.5A
- 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.03ohm
- 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.019ohm
- 售后服務(wù)
- 聯(lián)系我們
- 售后服務(wù)
- 榮譽(yù)證書
- 公司經(jīng)營
- 公司庫房
- 辦公環(huán)境
- 企業(yè)架構(gòu)
- 誠聘英才
- 如何付款
- 付款方式
- 交易流程
- 配送方式
- 特色服務(wù)
- 訂購方式