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NXP - PMWD19UN - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TSSOP-8

NXP - PMWD19UN - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N TSSOP-8
制造商：NXP
庫存編號(hào)：
制造商編號(hào)：PMWD19UN
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：
價(jià)格：

訂購
描述信息：
  • 晶體管極性:Dual N Channel
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.023ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.7V
  • 封裝類型:TSSOP
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 針腳配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • SMD標(biāo)號(hào):19UN
  • 功率, Pd:2.3W
  • 器件標(biāo)號(hào):4
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電壓, Vgs 最高:10V
  • 電容值, Ciss 典型值:1478pF
  • 電流, Id 連續(xù):5.6A
  • 電流, Idm 脈沖:20A
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.035ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.023ohm
產(chǎn)品屬性：

重量（公斤）：0.00003
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：

描述信息：
  • 晶體管極性:Dual N Channel
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.023ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.7V
  • 封裝類型:TSSOP
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 針腳配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • SMD標(biāo)號(hào):19UN
  • 功率, Pd:2.3W
  • 器件標(biāo)號(hào):4
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電壓, Vgs 最高:10V
  • 電容值, Ciss 典型值:1478pF
  • 電流, Id 連續(xù):5.6A
  • 電流, Idm 脈沖:20A
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.035ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.023ohm