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TOSHIBA - 2SK1120(F) - 場效應(yīng)管 MOSFET N TO-3P

TOSHIBA - 2SK1120(F) - 場效應(yīng)管 MOSFET N TO-3P
制造商:TOSHIBA
庫存編號(hào):
制造商編號(hào):2SK1120(F)
庫存狀態(tài):上海 0 , 新加坡100, 英國31
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價(jià)格(不含稅):CNY 84.05
價(jià)格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 84.05
25  - 99 CNY 66.59
100  - 249 CNY 58.02
250+  CNY 56.55

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描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:8A
  • 電壓, Vds 最大:1000V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):1.8ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • ??壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:150W
  • 封裝類型:TO-3P
  • 針腳數(shù):3
  • 功率, Pd:150W
  • 封裝類型:TO-3P
  • 引腳節(jié)距:5.45mm
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:1000V
  • 電流, Id 連續(xù):8A
  • 電流, Idm 脈沖:24A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:3.5V
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.006
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:

描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:8A
  • 電壓, Vds 最大:1000V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):1.8ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • ??壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:150W
  • 封裝類型:TO-3P
  • 針腳數(shù):3
  • 功率, Pd:150W
  • 封裝類型:TO-3P
  • 引腳節(jié)距:5.45mm
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:1000V
  • 電流, Id 連續(xù):8A
  • 電流, Idm 脈沖:24A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:3.5V