TOSHIBA - 2SK3767 - 場效應(yīng)管 MOSFET N 600V TO-220SIS
制造商:TOSHIBA
庫存編號:
制造商編號:2SK3767
庫存狀態(tài):上海 0 , 新加坡 0 , 英國1113
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 7.40
價格:
庫存編號:
制造商編號:2SK3767
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最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 7.40
價格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 7.40 |
| 25 - 99 | CNY 5.30 |
| 100 - 249 | CNY 4.30 |
| 250+ | CNY 4.20 |
描述信息:
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:2A
- 電壓, Vds 最大:600V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):4.5ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:30V
- 功耗:25W
- 封裝類型:TO-220SIS
- 功率, Pd:25W
- 封裝類型:TO-220SIS
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電流, Id 連續(xù):2A
- 電流, Idm 脈沖:5A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
產(chǎn)品屬性:
重量(公斤):0.0017
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:
描述信息:
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:2A
- 電壓, Vds 最大:600V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):4.5ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:30V
- 功耗:25W
- 封裝類型:TO-220SIS
- 功率, Pd:25W
- 封裝類型:TO-220SIS
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電流, Id 連續(xù):2A
- 電流, Idm 脈沖:5A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
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