TOSHIBA - 2SK3562 - 場效應管 MOSFET N 600V TO-220SIS
制造商：TOSHIBA
庫存編號：
制造商編號：2SK3562
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡10, 英國579
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 15.10
價格：
庫存編號：
制造商編號：2SK3562
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡10, 英國579
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 15.10
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 15.10 |
| 25 - 99 | CNY 10.70 |
| 100+ | CNY 8.50 |
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:6A
- 電壓, Vds 最大:600V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):1.25ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:30V
- 功耗:40W
- 封裝類型:TO-220SIS
- 功率, Pd:40W
- 封裝類型:TO-220SIS
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電流, Id 連續(xù):6A
- 電流, Idm 脈沖:24A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.0017
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:6A
- 電壓, Vds 最大:600V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):1.25ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:30V
- 功耗:40W
- 封裝類型:TO-220SIS
- 功率, Pd:40W
- 封裝類型:TO-220SIS
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電流, Id 連續(xù):6A
- 電流, Idm 脈沖:24A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
