TOSHIBA - 2SK3799 - 場效應(yīng)管 MOSFET N 900V TO-220SIS
制造商：TOSHIBA
庫存編號：
制造商編號：2SK3799
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國252
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 36.90
價格：
庫存編號：
制造商編號：2SK3799
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國252
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 36.90
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 36.90 |
| 25 - 99 | CNY 26.15 |
| 100 - 249 | CNY 23.82 |
| 250+ | CNY 22.65 |
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:8A
- 電壓, Vds 最大:900V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):1.3ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:30V
- 功耗:50W
- 封裝類型:TO-220SIS
- 功率, Pd:50W
- 封裝類型:TO-220SIS
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:900V
- 電流, Id 連續(xù):8A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.0017
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:8A
- 電壓, Vds 最大:900V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):1.3ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:30V
- 功耗:50W
- 封裝類型:TO-220SIS
- 功率, Pd:50W
- 封裝類型:TO-220SIS
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:900V
- 電流, Id 連續(xù):8A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
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