TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1N60LCP - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N 600V D-PAK
制造商：TAIWAN SEMICONDUCTOR
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：TSM1N60LCP
庫(kù)存狀態(tài)：上海10, 新加坡20, 英國(guó)977
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 3.98
價(jià)格：
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：TSM1N60LCP
庫(kù)存狀態(tài)：上海10, 新加坡20, 英國(guó)977
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 3.98
價(jià)格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 3.98 |
| 25 - 99 | CNY 2.61 |
| 100 - 249 | CNY 2.15 |
| 250+ | CNY 2.06 |
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:1A
- 電壓, Vds 最大:600V
- 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):8ohm
- 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
- 電壓, Vgs 最高:30V
- 功耗:2.5W
- 工作溫度范圍:-55oC to +150oC
- 封裝類(lèi)型:D-PAK
- 針腳數(shù):3
- SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:50W
- 單脈沖雪崩能量 Eas:20mJ
- 外寬:6.8mm
- 外部深度:10.5mm
- 外部長(zhǎng)度/高度:2.55mm
- 封裝類(lèi)型:DPAK
- 封裝類(lèi)型, 替代:TO-252
- 晶體管數(shù):1
- 晶體管類(lèi)型:MOSFET
- 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
- 滿(mǎn)功率溫度:25°C
- 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電流, Id 連續(xù):1A
- 電流, Idm 脈沖:9A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:2V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.0003
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:1A
- 電壓, Vds 最大:600V
- 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):8ohm
- 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
- 電壓, Vgs 最高:30V
- 功耗:2.5W
- 工作溫度范圍:-55oC to +150oC
- 封裝類(lèi)型:D-PAK
- 針腳數(shù):3
- SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:50W
- 單脈沖雪崩能量 Eas:20mJ
- 外寬:6.8mm
- 外部深度:10.5mm
- 外部長(zhǎng)度/高度:2.55mm
- 封裝類(lèi)型:DPAK
- 封裝類(lèi)型, 替代:TO-252
- 晶體管數(shù):1
- 晶體管類(lèi)型:MOSFET
- 溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
- 滿(mǎn)功率溫度:25°C
- 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電流, Id 連續(xù):1A
- 電流, Idm 脈沖:9A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:2V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4V
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