FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS8670 - 場效應(yīng)管 MOSFET N SO-8
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
庫存編號：
制造商編號：FDS8670
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡50, 英國 0
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 16.70
價格：
庫存編號：
制造商編號：FDS8670
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡50, 英國 0
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 16.70
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 16.70 |
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:21A
- 電壓, Vds 最大:30V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.0037ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 功耗:2.5W
- 工作溫度范圍:-55oC to +150oC
- 封裝類型:SOIC
- SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:2.5W
- 封裝類型:SOIC
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:30V
- 電流, Id 連續(xù):21A
- 電流, Idm 脈沖:105A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.4V
- SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.08801
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:21A
- 電壓, Vds 最大:30V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.0037ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 功耗:2.5W
- 工作溫度范圍:-55oC to +150oC
- 封裝類型:SOIC
- SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:2.5W
- 封裝類型:SOIC
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:30V
- 電流, Id 連續(xù):21A
- 電流, Idm 脈沖:105A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.4V
- SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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