IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH110N10P - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N型 TO-247
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：IXFH110N10P
庫(kù)存狀態(tài)：上海 0 , 新加?? 0 , 英國(guó)65
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 47.30
價(jià)格：
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：IXFH110N10P
庫(kù)存狀態(tài)：上海 0 , 新加?? 0 , 英國(guó)65
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 47.30
價(jià)格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 47.30 |
| 10 - 49 | CNY 38.00 |
| 50 - 249 | CNY 29.30 |
| 250+ | CNY 26.90 |
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:110A
- 電壓, Vds 最大:100V
- 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.015ohm
- 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 功耗:480W
- 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
- 封裝類型:TO-247
- 針腳數(shù):3
- N溝道柵極電荷 Qg:110nC
- 功率, Pd:480W
- 封裝類型:TO-247
- 晶體管類型:MOSFET
- 熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.31°C/W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
- 電壓, Vds 典型值:100V
- 電容值, Ciss 典型值:3550pF
- 電流, Id 連續(xù):110A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
- 時(shí)間, trr 最大:150ns
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.006
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:110A
- 電壓, Vds 最大:100V
- 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.015ohm
- 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 功耗:480W
- 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
- 封裝類型:TO-247
- 針腳數(shù):3
- N溝道柵極電荷 Qg:110nC
- 功率, Pd:480W
- 封裝類型:TO-247
- 晶體管類型:MOSFET
- 熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.31°C/W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
- 電壓, Vds 典型值:100V
- 電容值, Ciss 典型值:3550pF
- 電流, Id 連續(xù):110A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
- 時(shí)間, trr 最大:150ns
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