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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N80P - 場效應(yīng)管 MOSFET N型 TO-247

IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH24N80P - 場效應(yīng)管 MOSFET N型 TO-247
制造商:IXYS SEMICONDUCTOR
庫存編號:
制造商編號:IXFH24N80P
庫存狀態(tài):上海 0 , 新加坡 0 , 英國19
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 78.80
價格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 78.80
10  - 49 CNY 63.30
50  - 249 CNY 48.70
250+  CNY 44.80

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描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:24A
  • 電壓, Vds 最大:800V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.4ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:30V
  • 功耗:650W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-247
  • 針腳數(shù):3
  • N溝道柵極電荷 Qg:100nC
  • 功率, Pd:650W
  • 封裝類型:TO-247
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.19°C/W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:800V
  • 電容值, Ciss 典型值:5800pF
  • 電流, Id 連續(xù):24A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
  • 時間, trr 最大:250ns
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.006
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:

描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:24A
  • 電壓, Vds 最大:800V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.4ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:30V
  • 功耗:650W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-247
  • 針腳數(shù):3
  • N溝道柵極電荷 Qg:100nC
  • 功率, Pd:650W
  • 封裝類型:TO-247
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.19°C/W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:800V
  • 電容值, Ciss 典型值:5800pF
  • 電流, Id 連續(xù):24A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
  • 時間, trr 最大:250ns