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STMICROELECTRONICS - STP4N150 - 場效應(yīng)管 MOSFET N 1500V TO-220

STMICROELECTRONICS - STP4N150 - 場效應(yīng)管 MOSFET N 1500V TO-220
制造商:STMICROELECTRONICS
庫存編號:
制造商編號:STP4N150
庫存狀態(tài):上海12, 新加坡10, 英國 0
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 52.70
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描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:4A
  • 電壓, Vds 最大:1500V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):7ohm
  • 電壓 @ Rds測量:30V
  • 電壓, Vgs 最高:4V
  • 功耗:160W
  • 封裝類型:TO-220
  • 針腳數(shù):3
  • 功率, Pd:160W
  • 單脈沖雪崩能量 Eas:350mJ
  • 封裝類型:TO-220
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:1500V
  • 電容值, Ciss 典型值:13000pF
  • 電流, Id 連續(xù):4A
  • 電流, Idm 脈沖:12A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 重復(fù)雪崩電流, Iar:4A
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:3V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:5V
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.006
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:

描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:4A
  • 電壓, Vds 最大:1500V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):7ohm
  • 電壓 @ Rds測量:30V
  • 電壓, Vgs 最高:4V
  • 功耗:160W
  • 封裝類型:TO-220
  • 針腳數(shù):3
  • 功率, Pd:160W
  • 單脈沖雪崩能量 Eas:350mJ
  • 封裝類型:TO-220
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:1500V
  • 電容值, Ciss 典型值:13000pF
  • 電流, Id 連續(xù):4A
  • 電流, Idm 脈沖:12A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 重復(fù)雪崩電流, Iar:4A
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:3V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:5V