STMICROELECTRONICS - STB21NM60N - 場效應(yīng)管 MOSFET N D2-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
庫存編號：
制造商編號：STB21NM60N
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：5
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：
價(jià)格：
庫存編號：
制造商編號：STB21NM60N
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：5
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：
價(jià)格：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 電壓, Vds 最大:660V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.22ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 封裝類型:D2-PAK
- 功率, Pd:140W
- 單脈沖雪崩能量 Eas:610mJ
- 封裝類型:D2-PAK
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電容值, Ciss 典型值:1950pF
- 電流, Id 連續(xù):17A
- 電流, Idm 脈沖:64A
- 結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
- 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.22ohm
- 重復(fù)雪崩電流, Iar:8.5A
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
- 閾??電壓, Vgs th 最低:2V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.0015
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 電壓, Vds 最大:660V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.22ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 封裝類型:D2-PAK
- 功率, Pd:140W
- 單脈沖雪崩能量 Eas:610mJ
- 封裝類型:D2-PAK
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電容值, Ciss 典型值:1950pF
- 電流, Id 連續(xù):17A
- 電流, Idm 脈沖:64A
- 結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
- 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.22ohm
- 重復(fù)雪崩電流, Iar:8.5A
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
- 閾??電壓, Vgs th 最低:2V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4V
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