STMICROELECTRONICS - STB9NK60ZDT4 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N D2-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：STB9NK60ZDT4
庫(kù)存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：
價(jià)格：
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：STB9NK60ZDT4
庫(kù)存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：
價(jià)格：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 電壓, Vds 最大:600V
- 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.95ohm
- 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
- 封裝類型:D2-PAK
- 功率, Pd:125W
- 單脈沖雪崩能量 Eas:235mJ
- 封裝類型:D2-PAK
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電壓變化率 dv/dt:15V/ns
- 電容值, Ciss 典型值:1110pF
- 電流, Id 連續(xù):7A
- 電流, Idm 脈沖:28A
- 結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
- 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.95ohm
- 重復(fù)雪崩電流, Iar:7A
- ???值電壓, Vgs th 典型值:3.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:2.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.0015
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 電壓, Vds 最大:600V
- 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.95ohm
- 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
- 封裝類型:D2-PAK
- 功率, Pd:125W
- 單脈沖雪崩能量 Eas:235mJ
- 封裝類型:D2-PAK
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電壓變化率 dv/dt:15V/ns
- 電容值, Ciss 典型值:1110pF
- 電流, Id 連續(xù):7A
- 電流, Idm 脈沖:28A
- 結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
- 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.95ohm
- 重復(fù)雪崩電流, Iar:7A
- ???值電壓, Vgs th 典型值:3.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:2.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
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