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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFL82N60P - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N ISOPLUS264

IXYS SEMICONDUCTOR - IXFL82N60P - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N ISOPLUS264
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
庫存編號(hào)：
制造商編號(hào)：IXFL82N60P
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：
價(jià)格：

訂購
描述信息：
  • 晶體管極性:N
  • 電壓, Vds 最大:600V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.08ohm
  • 封裝類型:ISOPLUS-264
  • N溝道柵極電荷 Qg:240nC
  • 功率, Pd:625W
  • 封裝類型:ISOPLUS-264
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:600V
  • 電容值, Ciss 典型值:23000pF
  • 電流, Id 連續(xù):54A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
  • 隔離電壓:2500V
  • 時(shí)間, trr 最大:200ns
  • 熱阻 Rth:0.2
產(chǎn)品屬性：

重量（公斤）：0.01
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：

描述信息：
  • 晶體管極性:N
  • 電壓, Vds 最大:600V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.08ohm
  • 封裝類型:ISOPLUS-264
  • N溝道柵極電荷 Qg:240nC
  • 功率, Pd:625W
  • 封裝類型:ISOPLUS-264
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:600V
  • 電容值, Ciss 典型值:23000pF
  • 電流, Id 連續(xù):54A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
  • 隔離電壓:2500V
  • 時(shí)間, trr 最大:200ns
  • 熱阻 Rth:0.2