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IXYS SEMICONDUCTOR - IXKC13N80C - 場效應(yīng)管 MOSFET N ISOPLUS220

IXYS SEMICONDUCTOR - IXKC13N80C - 場效應(yīng)管 MOSFET N ISOPLUS220
制造商:IXYS SEMICONDUCTOR
庫存編號:
制造商編號:IXKC13N80C
庫存狀態(tài):无库存
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 89.73
價格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 89.73
25  - 99 CNY 72.95
100  - 249 CNY 61.37
250+  CNY 61.10

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描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:13A
  • 電壓, Vds 最大:800V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.29ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:130W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:ISOPLUS-220
  • N溝道柵極電荷 Qg:83nC
  • 功率, Pd:130W
  • 封裝類型:ISOPLUS-220
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:800V
  • 電容值, Ciss 典型值:2300pF
  • 電流, Id 連續(xù):13A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
  • 隔離電壓:2500V
  • 時間, trr 最大:550ns
  • 熱阻 Rth:0.96
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.002
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:

描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:13A
  • 電壓, Vds 最大:800V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.29ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:130W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:ISOPLUS-220
  • N溝道柵極電荷 Qg:83nC
  • 功率, Pd:130W
  • 封裝類型:ISOPLUS-220
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:800V
  • 電容值, Ciss 典型值:2300pF
  • 電流, Id 連續(xù):13A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
  • 隔離電壓:2500V
  • 時間, trr 最大:550ns
  • 熱阻 Rth:0.96