IXYS SEMICONDUCTOR - IXKR40N60C - 場效應管 MOSFET N ISOPLUS247
制造商:IXYS SEMICONDUCTOR
庫存編號:
制造商編號:IXKR40N60C
庫存狀態(tài):上海 0 , ??加坡 0 , 英國5
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 135.80
價格:
庫存編號:
制造商編號:IXKR40N60C
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最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 135.80
價格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 135.80 |
| 25+ | CNY 118.10 |
描述信息:
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:38A
- 電壓, Vds 最大:600V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.07ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 功耗:280W
- 工作溫度范圍:-40°C to +150°C
- 封裝類型:ISOPLUS-247
- N溝道柵極電荷 Qg:250nC
- 功率, Pd:280W
- 封裝類型:ISOPLUS-247
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電容值, Ciss 典型值:7600pF
- 電流, Id 連續(xù):38A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3.9V
- 隔離電壓:2500V
- 時間, trr 最大:650ns
- 熱阻 Rth:0.45
產(chǎn)品屬性:
重量(公斤):0.005
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:
描述信息:
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:38A
- 電壓, Vds 最大:600V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.07ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 功耗:280W
- 工作溫度范圍:-40°C to +150°C
- 封裝類型:ISOPLUS-247
- N溝道柵極電荷 Qg:250nC
- 功率, Pd:280W
- 封裝類型:ISOPLUS-247
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電容值, Ciss 典型值:7600pF
- 電流, Id 連續(xù):38A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3.9V
- 隔離電壓:2500V
- 時間, trr 最大:650ns
- 熱阻 Rth:0.45
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