STMICROELECTRONICS - STD11NM60N - 場效應(yīng)管 MOSFET N型 D-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
庫存編號：
制造商編號：STD11NM60N
庫存狀態(tài)：停产
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：
價格：
庫存編號：
制造商編號：STD11NM60N
庫存狀態(tài)：停产
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：
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描述信息：
- 晶體管極性:N
- 電壓, Vds 最大:650V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.45ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:25V
- 封裝類型:D-PAK
- 功率, Pd:100W
- 單脈沖雪崩能量 Eas:200mJ
- 封裝類型:DPAK
- 晶體管類型:MOSFET
- 熱阻, 結(jié)至外殼 A:1.25°C/W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電容值, Ciss 典型值:850pF
- 電流, Id 連續(xù):10A
- 電流, Idm 脈沖:40A
- 結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
- 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.45ohm
- 重復(fù)雪崩電流, Iar:3.5A
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:2V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.00031
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 電壓, Vds 最大:650V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.45ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:25V
- 封裝類型:D-PAK
- 功率, Pd:100W
- 單脈沖雪崩能量 Eas:200mJ
- 封裝類型:DPAK
- 晶體管類型:MOSFET
- 熱阻, 結(jié)至外殼 A:1.25°C/W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電容值, Ciss 典型值:850pF
- 電流, Id 連續(xù):10A
- 電流, Idm 脈沖:40A
- 結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
- 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.45ohm
- 重復(fù)雪崩電流, Iar:3.5A
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:2V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4V
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