STMICROELECTRONICS - STD38NH02LT4 - 場效應(yīng)管 MOSFET N型 D-PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
庫存編號：
制造商編號：STD38NH02LT4
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：
價格：
庫存編號：
制造商編號：STD38NH02LT4
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
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描述信息：
- 晶體管極性:N
- 電壓, Vds 最大:24V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.0135ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 封裝類型:D-PAK
- 功率, Pd:40W
- 單脈沖雪崩能量 Eas:250mJ
- 封裝類型:DPAK
- 晶體管類型:MOSFET
- 熱阻, 結(jié)至外殼 A:3.75°C/W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:24V
- 電容值, Ciss 典型值:1070pF
- 電流, Id 連續(xù):38A
- 電流, Idm 脈沖:152A
- 結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
- 結(jié)溫, Tj 最高:175°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.0135ohm
- 通態(tài)???阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.025ohm
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.8V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:1V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:2.5V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.00031
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 電壓, Vds 最大:24V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.0135ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 封裝類型:D-PAK
- 功率, Pd:40W
- 單脈沖雪崩能量 Eas:250mJ
- 封裝類型:DPAK
- 晶體管類型:MOSFET
- 熱阻, 結(jié)至外殼 A:3.75°C/W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:24V
- 電容值, Ciss 典型值:1070pF
- 電流, Id 連續(xù):38A
- 電流, Idm 脈沖:152A
- 結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
- 結(jié)溫, Tj 最高:175°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.0135ohm
- 通態(tài)???阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.025ohm
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.8V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:1V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:2.5V
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