FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS2672 - 場效應(yīng)管 MOSFET N型 SO-8
制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
庫存編號:
制造商編號:FDS2672
庫存狀態(tài):无库存
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):
價格:
庫存編號:
制造商編號:FDS2672
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描述信息:
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:3.9A
- 電壓, Vds 最大:200V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.07ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 功耗:2.5W
- 封裝類型:SOIC
- 針腳數(shù):8
- SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:2.5W
- 單脈沖雪崩能量 Eas:37.5mJ
- 封裝類型:SOIC
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:200V
- 電容值, Ciss 典型值:1905pF
- 電流, Id 連續(xù):3.9A
- 電流, Idm 脈沖:50A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.07ohm
- 針腳配置:D(5,6,7,8), S(1,2,3), G(4)
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:2.9V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:2V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4V
產(chǎn)品屬性:
重量(公斤):0.0005
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:
描述信息:
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:3.9A
- 電壓, Vds 最大:200V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.07ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 功耗:2.5W
- 封裝類型:SOIC
- 針腳數(shù):8
- SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:2.5W
- 單脈沖雪崩能量 Eas:37.5mJ
- 封裝類型:SOIC
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:200V
- 電容值, Ciss 典型值:1905pF
- 電流, Id 連續(xù):3.9A
- 電流, Idm 脈沖:50A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.07ohm
- 針腳配置:D(5,6,7,8), S(1,2,3), G(4)
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:2.9V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:2V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4V
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