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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS2734 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N型 SO-8

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS2734 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N型 SO-8
制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
庫存編號(hào):
制造商編號(hào):FDS2734
庫存狀態(tài):上海 0 , 新加坡24, 英國(guó)1
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價(jià)格(不含稅):CNY 27.60
價(jià)格:
数量 单位价格(不含税)
1+  CNY 27.60

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描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:3A
  • 電壓, Vds 最大:250V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.117ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:2.5W
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2.5W
  • 單脈沖雪崩能量 Eas:12.5mJ
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:250V
  • 電容值, Ciss 典型值:1960pF
  • 電流, Id 連續(xù):3A
  • 電流, Idm 脈沖:50A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.117ohm
  • 針腳???置:D(5,6,7,8), S(1,2,3), G(4)
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:2V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:4V
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.0005
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家:

描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:3A
  • 電壓, Vds 最大:250V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.117ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 功耗:2.5W
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2.5W
  • 單脈沖雪崩能量 Eas:12.5mJ
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:250V
  • 電容值, Ciss 典型值:1960pF
  • 電流, Id 連續(xù):3A
  • 電流, Idm 脈沖:50A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.117ohm
  • 針腳???置:D(5,6,7,8), S(1,2,3), G(4)
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:2V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:4V