INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF6641TR1PBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N型 DirectFET? MZ封裝
制造商：INTERNATIONAL RECTIFIER
庫存編號：
制造商編號：IRF6641TR1PBF
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國646
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 36.30
價格：
庫存編號：
制造商編號：IRF6641TR1PBF
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國646
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 36.30
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 36.30 |
| 25 - 99 | CNY 22.70 |
| 100+ | CNY 17.70 |
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:3.7A
- 電壓, Vds 最大:200V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):59.9mohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:4V
- 功耗:2.8mW
- 封裝類型:MZ
- 針腳數(shù):5
- 上升時間:11ns
- 下降時間:65ns
- 單脈沖雪崩能量 Eas:46mJ
- 器件標號:6641
- 存儲溫度, 最低:-40°C
- 存儲溫度, 最高:150°C
- 封裝類型:MZ
- 晶體管類型:MOSFET
- 漏極連續(xù)電流, Id @ 70攝氏度:3.7A
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds:200V
- 電壓, Vds 典型值:200V
- 電流, Id 連續(xù):4.6A
- 電流, Idm 脈沖:37A
- 結(jié)溫, Tj 最低:-40°C
- 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.001
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:3.7A
- 電壓, Vds 最大:200V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):59.9mohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:4V
- 功耗:2.8mW
- 封裝類型:MZ
- 針腳數(shù):5
- 上升時間:11ns
- 下降時間:65ns
- 單脈沖雪崩能量 Eas:46mJ
- 器件標號:6641
- 存儲溫度, 最低:-40°C
- 存儲溫度, 最高:150°C
- 封裝類型:MZ
- 晶體管類型:MOSFET
- 漏極連續(xù)電流, Id @ 70攝氏度:3.7A
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds:200V
- 電壓, Vds 典型值:200V
- 電流, Id 連續(xù):4.6A
- 電流, Idm 脈沖:37A
- 結(jié)溫, Tj 最低:-40°C
- 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
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