VISHAY SILICONIX - DG2018DN-T1-E3 - 芯片 雙模擬開關(guān) 低電壓 DPDT
制造商：VISHAY SILICONIX
庫存編號(hào)：
制造商編號(hào)：DG2018DN-T1-E3
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國1837
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 39.44
價(jià)格：
庫存編號(hào)：
制造商編號(hào)：DG2018DN-T1-E3
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國1837
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 39.44
價(jià)格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 39.44 |
| 25 - 99 | CNY 31.90 |
| 100 - 249 | CNY 28.15 |
| 250+ | CNY 26.64 |
描述信息：
- 模擬開關(guān)類型:DPDT
- 通道數(shù):2
- 帶寬:180MHz
- 通態(tài)電阻, Rds on 最大:8ohm
- 時(shí)間, t off:19ns
- 時(shí)間, t on:44ns
- 電源電壓范圍:1.8V to 5.5V
- 工作溫度范圍:-40°C to +85°C
- 封裝類型:QFN
- 針腳數(shù):16
- 封裝類型:QFN
- 器件標(biāo)號(hào):2018
- 開關(guān)數(shù):2
- 開態(tài)電阻, Rds(on):4ohm
- 電源電壓:單
- 電源電壓 最大:5.5V
- 電源電壓 最小:1.8V
- 表面安裝器件:表面安裝
- 通態(tài)電阻:4ohm
- 邏輯功能號(hào):2018
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.0002
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 模擬開關(guān)類型:DPDT
- 通道數(shù):2
- 帶寬:180MHz
- 通態(tài)電阻, Rds on 最大:8ohm
- 時(shí)間, t off:19ns
- 時(shí)間, t on:44ns
- 電源電壓范圍:1.8V to 5.5V
- 工作溫度范圍:-40°C to +85°C
- 封裝類型:QFN
- 針腳數(shù):16
- 封裝類型:QFN
- 器件標(biāo)號(hào):2018
- 開關(guān)數(shù):2
- 開態(tài)電阻, Rds(on):4ohm
- 電源電壓:單
- 電源電壓 最大:5.5V
- 電源電壓 最小:1.8V
- 表面安裝器件:表面安裝
- 通態(tài)電阻:4ohm
- 邏輯功能號(hào):2018
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