IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA14N60P - 場效應(yīng)管 MOSFET N TO-263
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
庫存編號：
制造商編號：IXFA14N60P
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：
價格：
庫存編號：
制造商編號：IXFA14N60P
庫存狀態(tài)：无库存
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最小訂單量：1
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描述信息：
- 晶體管極性:N
- 電壓, Vds 最大:600V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.55ohm
- 封裝類型:D2-PAK
- 針腳數(shù):3
- N溝道柵極電荷 Qg:38nC
- 功率, Pd:300W
- 封裝類型:D2-PAK
- 晶體管類型:HiPerFET
- 熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.42°C/W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電容值, Ciss 典型值:2300pF
- 電流, Id 連續(xù):14A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:5.5V
- 時間, trr 最大:200ns
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.002
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 電壓, Vds 最大:600V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.55ohm
- 封裝類型:D2-PAK
- 針腳數(shù):3
- N溝道柵極電荷 Qg:38nC
- 功率, Pd:300W
- 封裝類型:D2-PAK
- 晶體管類型:HiPerFET
- 熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.42°C/W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電容值, Ciss 典型值:2300pF
- 電流, Id 連續(xù):14A
- 表面安裝器件:表面安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:5.5V
- 時間, trr 最大:200ns
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