IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK170N10P - 場效應管 MOSFET N型 TO-264
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
庫存編號：
制造商編號：IXFK170N10P
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：
價格：
庫存編號：
制造商編號：IXFK170N10P
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：
價格：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 電壓, Vds 最大:100V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.009ohm
- 封裝類型:TO-264
- 針腳數(shù):3
- N溝道柵極電荷 Qg:198nC
- 功率, Pd:714W
- 封裝類型:TO-264
- 晶體管類型:HiPerFET
- 熱阻, 結至外殼 A:0.21°C/W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:100V
- 電容值, Ciss 典型值:6000pF
- 電流, Id 連續(xù):170A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
- 時間, trr 最大:150ns
產品屬性：
重量（公斤）：0.01
原產地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 電壓, Vds 最大:100V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.009ohm
- 封裝類型:TO-264
- 針腳數(shù):3
- N溝道柵極電荷 Qg:198nC
- 功率, Pd:714W
- 封裝類型:TO-264
- 晶體管類型:HiPerFET
- 熱阻, 結至外殼 A:0.21°C/W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:100V
- 電容值, Ciss 典型值:6000pF
- 電流, Id 連續(xù):170A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
- 時間, trr 最大:150ns
