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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN44N80P - 場效應(yīng)管 MOSFET N型 SOT-227B

IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN44N80P - 場效應(yīng)管 MOSFET N型 SOT-227B
制造商:IXYS SEMICONDUCTOR
庫存編號:
制造商編號:IXFN44N80P
庫存狀態(tài):上海 0 , 新??坡 0 , 英國2
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 223.10
價格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 223.10
25  - 99 CNY 179.40
100+  CNY 147.90

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描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:39A
  • 電壓, Vds 最大:800V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.19ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:30V
  • 功耗:694W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:ISOTOP
  • 針腳數(shù):4
  • N溝道柵極電荷 Qg:200nC
  • 功率, Pd:1200W
  • 封裝類型:ISOTOP
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.12°C/W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:800V
  • 電容值, Ciss 典型值:12000pF
  • 電流, Id 連續(xù):44A
  • 表面安裝器件:螺絲安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
  • 時間, trr 最大:250ns
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.03
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:

描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:39A
  • 電壓, Vds 最大:800V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.19ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 電壓, Vgs 最高:30V
  • 功耗:694W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:ISOTOP
  • 針腳數(shù):4
  • N溝道柵極電荷 Qg:200nC
  • 功率, Pd:1200W
  • 封裝類型:ISOTOP
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.12°C/W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:800V
  • 電容值, Ciss 典型值:12000pF
  • 電流, Id 連續(xù):44A
  • 表面安裝器件:螺絲安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
  • 時間, trr 最大:250ns