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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFV110N10PS - 場效應(yīng)管 MOSFET N SMD PLUS220

IXYS SEMICONDUCTOR - IXFV110N10PS - 場效應(yīng)管 MOSFET N SMD PLUS220
制造商:IXYS SEMICONDUCTOR
庫存編號:
制造商編號:IXFV110N10PS
庫存狀態(tài):上海 0 , 新加坡 0 , 英國90
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 39.20
價格:
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描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 電壓, Vds 最大:100V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.015ohm
  • 封裝類型:PLUS220
  • 針腳數(shù):3
  • N溝道柵極電荷 Qg:110nC
  • 功率, Pd:480W
  • 封裝類型:PLUS220
  • 晶體管類型:HiPerFET
  • 熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.31°C/W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:100V
  • 電容值, Ciss 典型值:3550pF
  • 電流, Id 連續(xù):110A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
  • 時間, trr 最大:150ns
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.002
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:

描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 電壓, Vds 最大:100V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.015ohm
  • 封裝類型:PLUS220
  • 針腳數(shù):3
  • N溝道柵極電荷 Qg:110nC
  • 功率, Pd:480W
  • 封裝類型:PLUS220
  • 晶體管類型:HiPerFET
  • 熱阻, 結(jié)至外殼 A:0.31°C/W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:100V
  • 電容值, Ciss 典型值:3550pF
  • 電流, Id 連續(xù):110A
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
  • 時間, trr 最大:150ns