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IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP1R6N50P - 場效應管 MOSFET N TO-220

IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP1R6N50P - 場效應管 MOSFET N TO-220
制造商:IXYS SEMICONDUCTOR
庫存編號:
制造商編號:IXTP1R6N50P
庫存狀態(tài):上海 0 , 新加坡 0 , 英國48
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
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描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 電壓, Vds 最大:500V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):6.5ohm
  • 封裝類型:TO-220
  • 針腳數(shù):3
  • N溝道柵極電荷 Qg:3.9nC
  • 功率, Pd:43W
  • 封裝類型:TO-220 (SOT-78B)
  • 晶體管類型:Standard
  • 熱阻, 結(jié)至外殼 A:2.9°C/W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:500V
  • 電容值, Ciss 典型值:140pF
  • 電流, Id 連續(xù):1A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5.5V
  • 時間, trr 最大:400ns
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.004
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:

描述信息:
  • 晶體管極性:N
  • 電壓, Vds 最大:500V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):6.5ohm
  • 封裝類型:TO-220
  • 針腳數(shù):3
  • N溝道柵極電荷 Qg:3.9nC
  • 功率, Pd:43W
  • 封裝類型:TO-220 (SOT-78B)
  • 晶體管類型:Standard
  • 熱阻, 結(jié)至外殼 A:2.9°C/W
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:500V
  • 電容值, Ciss 典型值:140pF
  • 電流, Id 連續(xù):1A
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5.5V
  • 時間, trr 最大:400ns