IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N60P - 場效應(yīng)管 MOSFET N TO-220
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
庫存編號：
制造商編號：IXTP3N60P
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國29
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：5
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 10.00
價格：
庫存編號：
制造商編號：IXTP3N60P
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國29
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：5
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 10.00
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 5 - 24 | CNY 10.00 |
| 25 - 249 | CNY 8.10 |
| 250 - 499 | CNY 6.20 |
| 500+ | CNY 5.70 |
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:3A
- 電壓, Vds 最大:600V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):2.9ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:30V
- 功耗:70W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:TO-220
- 針腳數(shù):3
- N溝道柵極電荷 Qg:9.8nC
- 功率, Pd:70W
- 封裝類型:TO-220
- 晶體管類型:MOSFET
- 熱阻, 結(jié)至外殼 A:1.8°C/W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電容值, Ciss 典型值:411pF
- 電流, Id 連續(xù):3A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:5.5V
- 時間, trr 最大:500ns
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.004
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:3A
- 電壓, Vds 最大:600V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):2.9ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 電壓, Vgs 最高:30V
- 功耗:70W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:TO-220
- 針腳數(shù):3
- N溝道柵極電荷 Qg:9.8nC
- 功率, Pd:70W
- 封裝類型:TO-220
- 晶體管類型:MOSFET
- 熱阻, 結(jié)至外殼 A:1.8°C/W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:600V
- 電容值, Ciss 典型值:411pF
- 電流, Id 連續(xù):3A
- 表面安裝器件:通孔安裝
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:5.5V
- 時間, trr 最大:500ns
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