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最低閾值電壓, Vgs th N溝道 1

  • 0.6V
  • 2.8V
  • 1V

最低閾值電壓, Vgs th P溝道

  • 0.8V
  • 1V
  • 2.8V

最高電壓, Vds P溝道

  • 60V
  • 30V

總功率, Ptot

  • 1.25W
  • 1.8W

針腳配置

  • S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
  • c
  • D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • 1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)

針腳數(shù)

  • 5
  • 6
  • 8

閾值電壓, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • -700mV
  • 4V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • 1.9V
  • 2.5V
  • 2.2V
  • 1.3V
  • 1.1V
  • 1V
  • -1V
  • 1.8V
  • 3V
  • 1.7V
  • 0.45V
  • 0.8V
  • 0.7V
  • 1.4V
  • 1.2V
  • 2.6V
  • 0.6V
  • 2V
  • 0.9V
  • -0.9V

閾值電壓, Vgs th 最低

  • 0.8V
  • 2.5V
  • -1V
  • 1V
  • 0.7V
  • 1.5V
  • 0.6V

閾值電壓, Vgs th 最高

  • 2V
  • 1.7V
  • 100V
  • 0.5V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 2.35V
  • 3V

芯片封裝類型

  • A
  • B

外寬

  • 4.05mm
  • 6.2mm
  • 40.5mm

外部深度

  • 5.26mm
  • 28mm
  • 5.2mm

外部長度/高度

  • 1.2mm
  • 1.75mm
  • 15.43mm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 1.8V

  • 0.035ohm
  • 0.0285ohm
  • 0.03ohm
  • 0.04ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V

  • 0.03ohm
  • 0.028ohm
  • 0.041ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道

  • 0.055ohm
  • 0.04ohm
  • 0.036ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道

  • 0.054ohm
  • 0.053ohm
  • 0.12ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V

  • 0.023ohm
  • 0.019ohm
  • 0.045ohm
  • 0.0185ohm
  • 0.03ohm
  • 0.025ohm
  • 0.033ohm
  • 0.034ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道

  • 0.053ohm
  • 0.045ohm
  • 0.075ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P溝道

  • 0.09ohm
  • 0.072ohm
圖片 型號 產(chǎn)品描述 庫存狀況 包裝規(guī)格 單位價格
(不含稅)		 數(shù)量
NXP - PMWD26UN - 場效應(yīng)管 MOSFET N TSSOP-8 NXP - PMWD26UN - 場效應(yīng)管 MOSFET N TSSOP-8
  • 晶體管極性:N
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.03ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.7V
  • 封裝類型:TSSOP
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 針腳配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • SMD標(biāo)號:26UN
  • 功率, Pd:3.1W
  • 器件標(biāo)號:4
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電壓, Vgs 最高:10V
  • 電容值, Ciss 典型值:1366pF
  • 電流, Id 連續(xù):7.8A
  • 電流, Idm 脈沖:31.3A
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.04ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.03ohm
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國2329    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    NXP - PMWD19UN - 場效應(yīng)管 MOSFET N TSSOP-8 NXP - PMWD19UN - 場效應(yīng)管 MOSFET N TSSOP-8
  • 晶體管極性:Dual N Channel
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.023ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.7V
  • 封裝類型:TSSOP
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 針腳配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • SMD標(biāo)號:19UN
  • 功率, Pd:2.3W
  • 器件標(biāo)號:4
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電壓, Vgs 最高:10V
  • 電容值, Ciss 典型值:1478pF
  • 電流, Id 連續(xù):5.6A
  • 電流, Idm 脈沖:20A
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.035ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.023ohm
    		• 无库存 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    NXP - PMWD16UN - 場效應(yīng)管 MOSFET N TSSOP-8 NXP - PMWD16UN - 場效應(yīng)管 MOSFET N TSSOP-8
  • 晶體管極性:Dual N Channel
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.019ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.7V
  • 封裝類型:TSSOP
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 針腳配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • SMD標(biāo)號:16UN
  • 功率, Pd:3.1W
  • 器件標(biāo)號:4
  • 電壓, Vgs 最高:10V
  • 電容值, Ciss 典型值:1366pF
  • 電流, Id 連續(xù):9.9A
  • 電流, Idm 脈沖:39.5A
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.03ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.019ohm
    		• 停产 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    NXP - PMWD15UN - 場效應(yīng)管 MOSFET N TSSOP-8 NXP - PMWD15UN - 場效應(yīng)管 MOSFET N TSSOP-8
  • 晶體管極性:Dual N Channel
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.0185ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.45V
  • 封裝類型:TSSOP
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 針腳配置:D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)
  • SMD標(biāo)號:15UN
  • 功率, Pd:4.2W
  • 器件標(biāo)號:2
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電壓, Vgs 最高:12V
  • 電容值, Ciss 典型值:1450pF
  • 電流, Id 連續(xù):11.6A
  • 電流, Idm 脈沖:46.4A
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.0285ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.0185ohm
    		• 停产 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    NXP - PHKD6N02LT - 場效應(yīng)管 MOSFET N SO-8 NXP - PHKD6N02LT - 場效應(yīng)管 MOSFET N SO-8
  • 晶體管極性:N溝道
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):20mohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.5V
  • 功耗:4.17W
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • 外寬:4.05mm
  • 外部深度:5.2mm
  • 外部長度/高度:1.75mm
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號:PHKD6N02LT
  • 功率, Pd:4.17W
  • 排距:6.3mm
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):10.9A
  • 電流, Idm 脈沖:44A
    		• 停产 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    NXP - PMGD8000LN - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙 NN SOT-363 NXP - PMGD8000LN - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙 NN SOT-363
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:125mA
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):8ohm
  • 電壓 @ Rds測量:4V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.5V
  • 功耗:0.2W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-363
  • 針腳數(shù):6
  • 封裝類型:SOT-363
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 上升時間:7ns
  • 下降時間:7ns
  • 功率, Pd:0.2W
  • 時間, t off:15ns
  • 時間, t on:10ns
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):0.125A
  • 電流, Idm 脈沖:0.25A
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:8ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:1.5V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國4137    		 1 5 詢價,無需注冊 訂購
    NXP - PIP3202-DC - 場效應(yīng)管 MOSFET N 智能型 NXP - PIP3202-DC - 場效應(yīng)管 MOSFET N 智能型
  • 晶體管極性:N溝道
  • 電壓, Vds 最大:50V
  • 開態(tài)電??, Rds(on):0.04ohm
  • 功耗:83.3W
  • 封裝類型:D2-PAK
  • 封裝類型:D2-PAK
  • 引腳節(jié)距:1.27mm
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管類型:保護MOSFET
  • 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 擊穿電壓, ESD:2.0kV
  • 功率, Pd:83.3W
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電流, Id 連續(xù):16A
  • 輸入電壓, 最低:1.2V
  • 輸入電壓, 最高:3.0V
    		• 停产 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    VISHAY SILICONIX - SI4559EY - 雙MOSFET NP SO-8 VISHAY SILICONIX - SI4559EY - 雙MOSFET NP SO-8
  • 晶體管極性:N+P 溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:4.5A
  • 電壓, Vds 最大:60V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.1ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:2.4W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • 外寬:6.2mm
  • 外部深度:5.26mm
  • 外部長度/高度:1.2mm
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
  • 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • N溝道柵極電荷 Qg:19nC
  • P溝道柵極電荷 Qg:16nC
  • 功率, Pd:2.4W
  • 最高電壓, Vds P溝道:60V
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道(1):4.5A
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:3.1A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds:60V
  • 電壓, Vds 典型值:60V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 電流, Id 連續(xù):3.1A
  • 電流, Idm 脈沖:30A
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道:0.055ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道:0.12ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道:0.075ohm
    		• 上海 0
    新加坡29
    英國 0    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - NDS9956A - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙 NN 邏輯電平 SO-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - NDS9956A - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙 NN 邏輯電平 SO-8
  • 晶體管極性:N溝道(雙）
  • 漏極電流, Id 最大值:3.7A
  • 電??, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.08ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.7V
  • 功耗:2W
  • 工作溫度范圍:-55oC to +150oC
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 外寬:4.05mm
  • 外部深度:5.2mm
  • 外部長度/高度:1.75mm
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 針腳配置:c
  • SMD標(biāo)號:NDS9956A
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2W
  • 排距:6.3mm
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 電流, Id 連續(xù):3.7A
  • 電流, Idm 脈沖:15A
    		• 上海 0
    新加坡7
    英國2356    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - NDS9953A - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙 PP 邏輯電平 SO-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - NDS9953A - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙 PP 邏輯電平 SO-8
  • 晶體管極性:P溝道(雙）
  • 漏極電流, Id 最大值:3.7A
  • 電??, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.2ohm
  • 電壓 @ Rds測量:-10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:-1.6V
  • 功耗:2W
  • 工作溫度范圍:-55oC to +150oC
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 外寬:4.05mm
  • 外部深度:5.2mm
  • 外部長度/高度:1.75mm
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 針腳配置:c
  • SMD標(biāo)號:NDS9953A
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:1.6W
  • 排距:6.3mm
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:-10V
  • 電壓, Vds 典型值:-30V
  • 電壓, Vgs 最高:-20V
  • 電流, Id 連續(xù):2.9A
  • 電流, Idm 脈沖:10A
    		• 上海15
    新加坡2000
    英國5868    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - NDS8958 - 雙MOSFET NP SO-8 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - NDS8958 - 雙MOSFET NP SO-8
  • 晶體管極性:N與P溝道
  • 漏極電流, Id 最大值:5.3A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.065ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.6V
  • 功耗:2W
  • 工作溫度范圍:-55oC to +150oC
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號:NDS8958
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì))(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:1.6W
  • 功耗, N溝道 1:2W
  • 功耗, P溝道 1:2W
  • 最低閾值電壓, Vgs th N溝道 1:2.8V
  • 最低閾值電壓, Vgs th P溝道:2.8V
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 滿功率溫度:25°C
  • 漏極連續(xù)電流, Id N溝道(1):5.3A
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:4A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds:30V
  • 電壓, Vds N溝道 1:30V
  • 電壓, Vds P溝道 1:30V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 電流, Id 連續(xù):4A
  • 電流, Idm 脈沖:15A
    		• 上海 0
    新加坡46
    英國1457    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    ZETEX - ZXMN6A09DN8 - 場效應(yīng)管 MOSFET N 雙 SO-8 ZETEX - ZXMN6A09DN8 - 場效應(yīng)管 MOSFET N 雙 SO-8
  • 晶體管極性:N溝道(雙）
  • 電壓, Vds 最大:60V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.045ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
  • 封裝類型:SOIC
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOIC
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
  • 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號:ZXMN6A09D
  • 功率, Pd:1.25W
  • 總功率, Ptot:1.25W
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:60V
  • 電流, Id 連續(xù):5.2A
  • 電流, Idm 脈沖:17.6A
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.045ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:1V
    		• 无库存 1 5 詢價,無需注冊 訂購
    ZETEX - ZXMD63N02X - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙 NN MSOP8 ZETEX - ZXMD63N02X - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙 NN MSOP8
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N溝道(雙）
  • 漏極電流, Id 最大值:2.4A
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.13ohm
  • 電壓 @ Rds測量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:0.7V
  • 功耗:1.25W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:MSOP
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:MSOP8
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號:ZXM63N02
  • 功率, Pd:1.04W
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):2.4A
  • 電流, Idm 脈沖:14A
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.13ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:0.7V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國1160    		 1 5 詢價,無需注冊 訂購
    ZETEX - ZXMD63C03X - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙 NP MSOP8 ZETEX - ZXMD63C03X - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙 NP MSOP8
  • 模塊配置:NP
  • 晶體管極性:N溝道/P溝道互補
  • 漏極電流, Id 最大值:2.3A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.135ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:1.25W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:MSOP
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:MSOP8
  • 晶體管數(shù):2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號:ZXM63C03
  • 功率, Pd:1.04W
  • 最低閾值電壓, Vgs th N溝道 1:1V
  • 最低閾值電壓, Vgs th P溝道:1V
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:2A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電壓, Vgs Rds N溝道:10V
  • 電壓, Vgs Rds P溝道:10V
  • 電流, Id 連續(xù):2.3A
  • 電流, Idm 脈沖:14A
  • 通態(tài)電阻, Rds on N溝道 最大:0.135ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on P溝道 最大:0.185ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:1V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國596    		 1 5 詢價,無需注冊 訂購
    ZETEX - ZXMHC6A07T8TA - 場效應(yīng)管 MOSFET H橋 SM8 ZETEX - ZXMHC6A07T8TA - 場效應(yīng)管 MOSFET H橋 SM8
  • 晶體管極性:N溝道/P溝道H-橋
  • 漏極電流, Id 最大值:1.8A
  • 電壓, Vds 最大:60V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):1.5ohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
  • 功耗:1.7W
  • 工作溫度范圍:-55oC to +150oC
  • 封裝類型:SM-8
  • 針腳數(shù):8
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SM-8
  • 晶體管數(shù):4
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • SMD標(biāo)號:ZXMHC6A07
  • 功率, Pd:1.7W
  • 最低閾值電壓, Vgs th N溝道 1:1V
  • 最低閾值電壓, Vgs th P溝道:1V
  • 溫度 @ 電流測量:25°C
  • 漏極連續(xù)電流, Id P溝道:1.5A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:60V
  • 電壓, Vgs Rds N溝??:10V
  • 電壓, Vgs Rds P溝道:10V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 電流, Id 連續(xù):1.8A
  • 電流, Idm 脈沖:8.7A
  • 通態(tài)電阻, Rds on N溝道 最大:1.8ohm
  • 通態(tài)電阻, Rds on P溝道 最大:1.5ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:1V
    		• 上海95
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    英國149    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
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